Technology Transfer
成果转化
作者:光电工研院
高速光通信半导体激光器芯片研发与制造
2017-12-25

高速DFB半导体激光器芯片其外延结构复杂、光栅刻蚀后需再生长、工艺和测试步骤繁多,因而形成非常高的技术壁垒,使得国内在这一领域一直处于空白阶段,芯片主要靠从台湾、日本及北美进口获取。项目成员利用自身在外延片和芯片工艺领域的多年经验,提出由FP激光器到DFB激光器;由10G DFB激光芯片到100G DFB芯片;由外部光栅到内部光栅再生长技术,从简到繁合理的完成高速半导体激光器产品的梯度开发。值得一提的是,为了能更进一步提高良率(降低制作复杂度)降低成本,我们提出产品研发初期采用外部光栅制成单模DFB激光器,可免除外延片再生长的需要和制作DFB光栅的工艺过程。同时采用选区生长 (selectivearea growth, SAG)的方式,利用氧化层定义不同区域有着不同主动层的方式,以此方式在一次磊晶中将所有主动层长好。用此技术生产的25G半导体激光外延片,并在工艺过程中用四条不同波长的DFB laser 达到 100Gbs的传输要求。这一过程降低了初期对于高端100G芯片制成的复杂度,降低了产品开发的运营成本。


前景

中国是通讯设备的主要制造国之一,有若干巨头及大量中小型企业生产数以万亿计的通讯设备,市场规模更是以千亿甚至万亿计。该项目的主要产品光收发器主要应用在两个细分市场。



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